日本半导体逆袭成功，正式宣布2nm晶圆试产

根据Tomshardware报道，在Rapidus日本的IIM-1厂区已经展开对采用2nm全环绕栅极架构（GAA） 晶体管技术的测试晶圆进行原型制作。

公司确认，早期测试晶圆已达到预期的电气特性，这表示其晶圆厂工具运作正常，制程技术开发进展顺利。

原型制作是半导体生产中的一个重要里程碑，目的在验证使用新技术制造的早期测试电路是否可靠、高效并达到性能目标。

Rapidus目前正在测量其测试电路的电气特性，包括临界电压、驱动电流、漏电流、次临界斜率、开关速度、功耗和电容等参数。

另外，Rapidus的IIM-1厂区自2023年9月动工以来件展正常，无尘室于2024年完成，截至2025年6月已连接超过200套设备，包括先进的DUV和EUV光刻工具。

之前有说法认为，日本本国的半导体产业在中国台湾地区和韩国半导体产业多年打击后，其老旧产线基本退出，仅剩少数设备仍在运行。

在台积电大规模投资日本工厂之前，日本连量产40nm制程芯片都难以实现，在制程领域甚至落后于中国大陆。